Nach Einschätzung von DigiTimes wird die Nachfrage nach Flash-Speicherchips für Smartphones im Laufe des Jahres 2017 hoch bleiben, da die Versorgungsengpässe Berichten zufolge "schlimmer als erwartet" sind, da die Chiphersteller derzeit von älterer 2D-NAND-Technologie auf neuere 3D-NAND-Technologie umsteigen.
Laut einem Bericht vom Freitag in der Zeitung The Korea Herald, in dem Mirae Asset Daewoo Securities Analysten zitiert werden, könnte Toshiba sein lukratives NAND-Flash-Gerät ausgliedern und die Beteiligung an Western Digital verkaufen, wodurch sich die Kluft zwischen Technologie und Marktanteil gegenüber dem größeren Konkurrenten Samsung Electronics verringert.
"Wenn die Ausgliederung bestätigt wird, wird sich die finanzielle Situation der Chip-Einheit von Toshiba verbessern", sagte Do Hyun-woo, Analyst bei Mirae Asset Daewoo Securities.
"Dadurch kann das Unternehmen mehr Kapazitäten in der Entwicklung sichern und so die technologische Kluft zu Samsung verringern."
Toshiba hat anscheinend die Führungsposition in der 3D-NAND-Technologie verloren, zu der die Hersteller der Konkurrenz derzeit übergehen. Das Unternehmen produziert derzeit 48-lagige 3D-NAND-Chips mit U-förmiger Struktur und Bit-Cost Scalable-Technologie. Die Serienproduktion von 64-lagigen 3D-NAND-Chips von Toshiba wird im ersten Halbjahr dieses Jahres erwartet.
Sollte das Unternehmen mit Western Digital fusionieren, sollten seine gemeinsamen Anteile die von Samsung übertreffen, das derzeit den 3D-NAND-Flash-Markt beherrscht und mit einem Anteil von 36,6 Prozent der Top-Player auf dem globalen NAND-Flash-Markt ist.
Toshiba und Western Digital haben einen DRAMeXchange-Anteil von schätzungsweise 19,8 Prozent und 17,1 Prozent. Western Digital, Micron Technology und SK Hynix vervollständigen die Liste der fünf weltweit führenden NAND-Flash-Chip-Anbieter.
Abgesehen von Western Digital könnten auch andere Unternehmen wie SK Hynix ein Interesse an Investitionen zeigen, sagte Do voraus. Reparatur-Website iFixit hat NAND-Flash-Komponenten von Toshiba sowohl in iPhone 7 als auch in iPhone 7 Plus gefunden.
Die beiden Smartphones verwenden außerdem NAND-Flash des langjährigen Apple-Anbieters SK Hynix. Der Flash-Speicher in 128-Gigabyte-Versionen der Telefone ist ein 16-Chip-Stapel von 128-Gb-Teilen mit EMI-Abschirmung, hergestellt in 15-Nanometer-Prozesstechnologie.
iPhone 7 Teardown-Bild mit freundlicher Genehmigung von iFixit.
Quelle: Der Korea-Herold