Der Apple-Zulieferer SK Hynix hat 72-lagige 256-Gigabit-3D-NAND-Flash-Speicherchips auf Basis von Triple-Level-Cell-Arrays vorgestellt. Durch das Stapeln von 1,5-mal mehr Zellen als bei der bisherigen 48-Lagen-Technologie des Unternehmens kann ein einzelner 256-Gbit-NAND-Flash-Chip 32 Gigabyte Speicherplatz mit zweimal höherer interner Betriebsgeschwindigkeit und 20 Prozent schnellerer Lese- / Schreibleistung als ein 48-Lagen-3D-NAND-Chip darstellen.
Der Zulieferer stellt seit November 2016 3D-NAND-Chips mit 48 Schichten und 256 Gbit her. Die vorherigen 128-Gbit-3D-NAND-Chips mit 36 Schichten wurden im April 2016 auf den Markt gebracht.
Die neuesten Chips erzielen eine um rund 30 Prozent höhere Produktivität in der Fertigung, indem mehr Zellen gestapelt und vorhandene Massenproduktionsanlagen genutzt werden. SK Hynix wird sie in der zweiten Hälfte dieses Jahres in großen Stückzahlen produzieren.
Die NAND-Flash-Chips an Bord der iPhone 7- und iPhone 7 Plus-Modelle stammen aus zwei Quellen von Toshiba und SK Hynix. Einige iPhone 7-Modelle sind mit 48-lagigen 3D-BiCS-NAND-Chips von Toshiba ausgestattet, die noch nie zuvor für ein kommerzielles Produkt verwendet wurden.
Andere iPhone 7-Modelle verwenden die Flash-Chips von SK Hynix.
Es wurde festgestellt, dass die Flash-Speicherleistung des 32-Gigabyte-iPhone 7-Modells langsamer ist als die der 128-Gigabyte-Version, wobei erstere Daten mit 656 Mbit / s und letztere mit 856 Mbit / s lesen. Beim Testen der Schreibleistung ist der Unterschied noch deutlicher: Das 32-GB-iPhone 7 für das Schreiben von Daten auf seine Flash-Chips erreicht eine Geschwindigkeit von etwa 42 Mbit / s, während das 128-GB-Gegenstück mit 341 Mbit / s achtmal schneller ist.
Der Unterschied ist auf die 3D-BiCS-NAND-Technologie von Toshiba zurückzuführen, die im iPhone 7-Modell mit 128 GB verwendet wird. BiCS, oder Bit Cost Scaling, speichert drei Datenbits pro Transistor und stapelt 48 NAND-Schichten auf einen einzigen Chip, wodurch die Lese- und Schreibleistung im Vergleich zum 2D-Speicher beschleunigt wird.
Sowohl die für die iPhone 7-Familie verwendeten Toshiba- als auch die SK Hynix-Flash-Chips werden in 15-Nanometer-Prozesstechnologie hergestellt. Die iPhone 7-Modelle mit 256 Gigabyte verwenden einen dünneren Stapel von 256-Gigabit-Dies mit acht Chips gegenüber einem Stapel von 128-Gigabit-NAND-Flash-Bauteilen mit 16 Chips.
SK Hynix gehört zu den Bewerbern für die lukrative Flash-Chip-Einheit von Toshiba.
Quelle: DigiTimes
