Apples kommende iPhone-Modelle - das OLED-basierte iPhone 8 und die iterativen LCD-basierten iPhone 7s und iPhone 7s Plus-Handys - waren von einem weltweiten Mangel an 3D-NAND-Flash-Chips betroffen, was den Cupertino-Giganten dazu zwang, sich an Samsung zu wenden mehr sichern.
Laut einem neuen Bericht von DigiTimes vom Donnerstag hat das Gesamtangebot an 3D-NAND-Flash-Komponenten für das iPhone 2017 die Bestellungen von Apple um bis zu dreißig Prozent verfehlt.
Das liegt daran, dass die aktuellen Flash-Chip-Lieferanten des Unternehmens, SK Hynix und Toshiba, für ihre 3D-NAND-Technologien niedrigere Ertragsraten als erwartet verzeichnet haben.
SK Hynix gehört zu den Bewerbern für die lukrative Flash-Chip-Einheit von Toshiba.
Hier ist ein Auszug aus dem DigiTimes-Bericht:
Apple hat sich an Samsung gewandt, um mehr NAND-Chip-Zubehör für die kommenden Handys zu erhalten, da Samsung relativ stabile Renditen für die 3D-NAND-Technologie aufweist und die Ausgabe von 3D-NAND-Chips erhöht hat.
TrendForce schätzt, dass die Versorgung mit dem 3D-NAND-Flash-Speicherchip erst Mitte 2018 nachlässt. „Die Hersteller der NAND-Flash-Branche werden sich 2017 weiterhin mit der Entwicklung der 3D-64L-NAND-Flash-Technologie befassen“, sagte TrendForce.
In der zweiten Hälfte des Jahres 2018 werden einige Zulieferer ihre Aufmerksamkeit auch auf die neueren und fortschrittlicheren 96L-Flash-Speicherprodukte der Branche lenken. Samsung, Toshiba und Micron Technology stellen derzeit auf 64-lagige 3D-NAND-Flash-Produkte um, während SK Hynix die Lieferung von 72-lagigen 3D-Chips plant.
"Es wird erwartet, dass sich diese allmählichen Änderungen potenziell positiv auf die Produktionen von NAND Flash im Jahr 2018 auswirken werden", fügte TrendForce hinzu. "Infolgedessen könnten ihre Preise bereits im nächsten Jahr sinken." Das weltweite Angebot an NAND-Flash-Chips dürfte jedoch bis Ende 2017 knapp bleiben.
Laut Business Korea treiben Samsung Electronics (das den globalen NAND-Flash-Markt anführt), Toshiba, Western Digital und SK Hynix die Entwicklung dieser dreidimensionalen NAND-Flash-Chip-Technologien voran, die im Grunde genommen mehr Speicherzellen als 2D-Chips stapeln und dabei die vorhandene Masse nutzen Produktionsstätten.
Das iPhone 7 mit 128 GB verwendet zum Beispiel die 3D-BiCS-NAND-Technologie von Toshiba, die drei Datenbits pro Transistor speichert und 48 NAND-Schichten auf einem einzigen Chip stapelt, wodurch die Lese- und Schreibleistung im Vergleich zu 2D-Flash-Speicherchips beschleunigt wird.
